Upozornenie!
Vitajte na našej novej stránke! Treba sa znova registrovať .
P-MOSFETTechnológiaHEXFETPolarizáciaunipolárnyNapätie drain-source-55VPrúd drainu-31ARozptýlenie energie110WPuzdroDPAKNapätie gate-source±20VOdpor v zopnutom stave65mOhmMontážSMDNáboj hradla42nC
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.
Len registrovaní užívatelia môžu pridávať články. Prosím prihláste sa alebo sa registrujte.