Upozornenie!

Vitajte na našej novej stránke! Treba sa znova registrovať . 

Získajte tým 5% zľavu!

 

Viac
    Registrácia
    Domov / Elektronické súčiastky, komponenty / Polovodičové súčiastky / Tranzistory / Unipolárne tranzistory / Tranzistory s kanálom typu N / Tranzistory s kanálom typu N SMD / IPB029N06N3GATMA1 N-MOSFET unipolárny 60V 120A 188W TO263-3

    IPB029N06N3GATMA1 N-MOSFET unipolárny 60V 120A 188W TO263-3

    Neohodnotené
    Značka: Infineon Technologies

    IPB029N06N3GATMA1  N-MOSFET unipolárny 60V 120A 188W  TO263-3

    Dostupnosť Skladom (3 ks)
    Môžeme doručiť do:
    31.12.2024
    Možnosti doručenia
    Kód: 17042
    2,60 € / ks 2,17 € bez DPH
    IPB029N06N3GATMA1 N-MOSFET unipolárny 60V 120A 188W TO263-3
    Neohodnotené
    Značka: Infineon Technologies
    IPB029N06N3GATMA1 N-MOSFET unipolárny 60V 120A 188W TO263-3
    14 dní na vrátenie
    14 dní
    na vrátenie tovaru
    Objednávka do 14:00
    Do 14:00 objednané
    ešte dnes odoslané
    Vernostné zľavy 5%
    Vernostné zľavy 5%
    pre registrovaných zákazníkov

    N-MOSFET Tranzistor

    Technológia OptiMOS™ 3
    Polarizácia unipolárny
    Napätie drain-source 60V
    Prúd drainu 120A
    Rozptýlenie energie 188W
    Puzdro PG-TO263-3
    Napätie gate-source ±20V
    Odpor v zopnutom stave 2.9mΩ
    Montáž SMD
    Druh kanálu obohatený

    Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.

    Len registrovaní používatelia môžu pridávať príspevky. Prosím prihláste sa alebo sa zaregistrujte.

    Nevypĺňajte toto pole: