IPD50R500CEAUMA1

Tranzistor MOSFET NPN , 500V , 7.6A , TO-252-3

Technológia: Si
Štýl montáže: SMD/SMT
Balenie/puzdro: TO-252-3
Polarita tranzistora: N-kanál
Počet kanálov: 1 kanál
Vds - poruchové napätie zdroja odtoku: 500 V
Id - nepretržitý odtokový prúd: 7,6 A
Svieti Rds - odpor zdroja odtoku: 500 mOhms
Vgs - Napätie zdroja brány: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Prahové napätie zdroja brány: 3 V
Qg - Gate Charge: 18,7 nC
Minimálna prevádzková teplota: - 55 ° C
Maximálna prevádzková teplota: + 150 ° C
Pd - Strata výkonu: 57 W

Datasheet : IPD50R500CE Datasheet