MJD45H11G

Bipolárny tranzistor -BJT 8A , 80V , 20W , PNP

Štýl montáže: SMD/SMT
Balenie/puzdro: TO-252-3
Polarita tranzistora: PNP
Konfigurácia: Single
Zberač- napätie vysielača VCEO Max: 80 V
Zberač- základné napätie VCBO: 5 V.
Vysielač- základné napätie VEBO: 5 V.
Saturačné napätie zberača a vysielača: 1 V
Maximálny prúd kolektora DC: 8 A.
Pd - Strata výkonu: 20 W
Produkt so šírkou pásma fT: 90 MHz
Minimálna prevádzková teplota: - 55 ° C
Maximálna prevádzková teplota: + 150 ° C

Datasheet :

MJD44H11, MJD45H11