Si4564DY-T1-GE3

Tranzistor MOSFET 40V 10A N/P kanál

trvalý prúd kolektora:10 A

Prierazné napätie medzi kolektorom a emitorom:40 V

Odpor medzi kolektorom a emitorom:14.5 mOhms, 17.5 mOhms

Polarita tranzistora: N-Channel, P-Channel

Prierazné napätie medzi bázou a emitorom:16 V, 20 V

Prahové napätie medzi bázou a emitorom:2 V, - 2.5 V

náboj bázy:20.5 nC, 41.5 nC

Maximální prevádzková teplota:+ 150 °C

chladený výkon:3.1 W, 3.2 W

Púzdro: SO-8

Konfigurácia:Dual

Doba poklesu:13 ns, 15 ns

Strmosť vo vodivóm smere, min.:25 S, 27 S

Minimálna prevádzková teplota:- 55 C

Doba nárastu:15 ns, 40 ns

Séria:SI45xxxY

Typický čas zdržania pri vypnutí:23 ns, 40 ns

Typická čas zdržania pri zopnutí í:11 ns, 42 ns