Upozornenie!
Vitajte na našej novej stránke! Treba sa znova registrovať .
Tranzistor MOSFET NPNRoHS :: Údaje
Technológia: Si
Štýl montáže: SMD / SMT
Púzdro: PowerPAK-SO-8
Počet kanálov: 1 Channel
Polarita tranzistora: N-Channel
Prierazné napätie medzi kolektorom a emitorom: 40 V
trvalý prúd kolektora: 60 A
Odpor medzi kolektorom a emitorom: 1.9 mOhms
Prahové napätie medzi bázou a emitorom: 1 V
Napätie medzi hradlom a emitorom: 20 V
náboj báza: 155 nC
Minimálna prevádzková teplota: - 55 C
Maximálna prevádzková teplota: + 150 C
chladený výkon: 104 W
Konfigurácia: Single
Kanálový režim: Enhancement
Obchodný názov: TrenchFET, PowerPAK
Výška: 1.04 mm
Dĺžka: 6.15 mm
Séria: SIR
Typ tranzistora: 1 N-Channel
Šírka: 5.15 mm
Značka: Vishay / Siliconix
Strmosť vo vodivom smere, min .: 190 S
Doba poklesu: 9 ns
Typ produktu: MOSFET
Doba nárastu: 11 ns
Buďte prvý, kto napíše príspevok k tejto položke.
Len registrovaní užívatelia môžu pridávať články. Prosím prihláste sa alebo sa registrujte.