SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3

Typ FET: P-kanál
Technológia: MOSFET (oxid kovu)
Napätie odtoku do zdroja (Vdss): 40 V
Prúd – kontinuálny odtok (Id) pri 25 °C: 4,6 A (Tc)
Napätie pohonu (max. Rds zapnuté, min. Rds zapnuté): 4,5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2,5 V @ 250 uA
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Stratový výkon (Max): 2,5 W (Tc)
Prevádzková teplota: -55°C ~ 150°C
Typ montáže: Povrchová montáž

Súbory:

Datasheet